logo
Bericht versturen

139 Micron Amorf Silicium A Si Voor verschillende gebieden zoals DR Niet-destructieve testen

1
MOQ
139 Micron Amorf Silicium A Si Voor verschillende gebieden zoals DR Niet-destructieve testen
Kenmerken Galerij Productomschrijving Verzoek om een Citaat
Kenmerken
Specificaties
Materiaal: met een vermogen van meer dan 50 W
Temperatuur: 10-35°C (operationeel);-10~50°C (opslag)
luchtvochtigheid: 30-70% RH (niet-condenserend)
Productnaam: DR Digitale platte paneeldetector
Receptortype: a-Si
Scintillator: Gecontracteerde diensten
Actief gebied: 350 x 430 mm
Pixel Pitch: 139 μm
Markeren:

139 micron A Si

,

Amorf silicium A Si

,

DR A Si

Basis informatie
Plaats van herkomst: China
Merknaam: HUATEC
Certificering: CE ISO GOST
Modelnummer: H3543HWC-EG
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden
Verpakking Details: Export standaard kartonnen verpakking
Productomschrijving

139 Micron Amorf Silicium A-Si Voor verschillende gebieden zoals DR en niet-destructieve testen

 

H3543HWC-EG is een lichtgewicht draadloze detector op basis van amorfe silicium ((a-Si), die geschikt is voor verschillende gebieden, zoals DR en niet-destructieve testen.

 

Sensor
Receptortype a-Si

Scintillator Gos / CsI:TI

Actief gebied 350 x 430 mm

Resolutie 2560 x 3072

Pixelpitch 139 μm

 

Stroomvoorziening en batterij

Adapter in wisselstroom 100-240V,50-60Hz

Adapter uit DC 24V,2.7A

Verlies van vermogen < 20 W

Stand-bytijd 6,5 uur

Oplaadtijd 4,5 uur

 

Beeldkwaliteit
Beperkende resolutie 5 LP/mm

Energiebereik 40-160 KV

Dynamisch bereik ≥ 76 dB

Gevoeligheid ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1e beeld

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @(2 LP/mm)

MTF 75% @(1 LP/mm)

48% @(2 LP/mm)

28% @(3 LP/mm)

 

 

Geadviseerde Producten
Neem contact op met ons
Contactpersoon : JingAn Chen
Tel. : 8610 82921131,86 13261934319
Fax : 86-10-82916893
Resterend aantal tekens(20/3000)